??
客服熱線：0551-69106578 業(yè)務(wù)咨詢：0551-69106578 郵箱：2268263116@qq.com
媒體合作： ??在線客服：
Copyright (c) 2012 機(jī)電產(chǎn)品交易網(wǎng) . 版權(quán)所有 皖I(lǐng)CP備12004440號(hào)-2
“未來30年，如果我們不解決芯片自己制造的問題，所謂的信息化時(shí)代會(huì)失去一個(gè)非常重要的依托和基礎(chǔ)。”中國科學(xué)院微電子研究所所長葉甜春16日在福建晉江舉行的國際集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上如是說。
據(jù)介紹，存儲(chǔ)器芯片是智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品不可或缺的關(guān)鍵器件。然而，我國一直是全球集成電路領(lǐng)域最大貿(mào)易逆差國，每年進(jìn)口額超過兩千億美元，其中，存儲(chǔ)器芯片是國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的主要短板，長期以來市場(chǎng)一直被海外巨頭牢牢把握。以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和閃存(NAND Flash)兩種主要存儲(chǔ)芯片為例，今年第一季度，DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而閃存市場(chǎng)幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。
大力發(fā)展存儲(chǔ)器不僅是市場(chǎng)需求，同時(shí)也是信息安全和產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略需要。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武在論壇上表示，應(yīng)該把發(fā)展存儲(chǔ)器芯片作為國家戰(zhàn)略來實(shí)施。
據(jù)悉，為打破“缺芯之痛”，國內(nèi)多地開始斥巨資布局存儲(chǔ)器芯片研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域。目前，北京、武漢、晉江等地發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的積極性高漲，各種資金也加速向這一領(lǐng)域匯集。
當(dāng)日，一期投資370億元的福建晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目在福建晉江開工。該項(xiàng)目著力打造具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的世界級(jí)存儲(chǔ)器集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，預(yù)計(jì)于2018年9月形成月產(chǎn)6萬片12寸晶圓的生產(chǎn)規(guī)模，項(xiàng)目建成后將填補(bǔ)我國主流存儲(chǔ)器集成電路產(chǎn)業(yè)空白。
在此之前，北京紫光集團(tuán)旗下同方國芯宣布計(jì)劃定增800億元，投入存儲(chǔ)芯片工廠和上下游產(chǎn)業(yè)鏈布局；另外在武漢，今年3月下旬，總投資約1600億元人民幣的存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在東湖高新區(qū)正式啟動(dòng)，計(jì)劃到2020年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能30萬片晶圓的生產(chǎn)規(guī)模。以此測(cè)算，這三家企業(yè)在存儲(chǔ)器芯片方面的投資總額將超過2700億人民幣。
出席論壇的臺(tái)灣集邦科技研究協(xié)理郭祚榮在接受采訪時(shí)表示，目前海外企業(yè)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域資本輸出放緩，產(chǎn)出也會(huì)相應(yīng)減少，這為大陸企業(yè)帶來良好契機(jī)。未來五到十年內(nèi)，大陸企業(yè)有機(jī)會(huì)與世界行業(yè)巨頭平起平坐。
充沛的資金支持和巨大的內(nèi)需市場(chǎng)，以及業(yè)已形成的本土化集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為國內(nèi)企業(yè)進(jìn)軍存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域提供了發(fā)展基礎(chǔ)。但不容忽視的是，存儲(chǔ)器芯片面臨高技術(shù)壁壘和激烈的全球化競(jìng)爭(zhēng)，之前就有許多涉足存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域的廠商最后被迫退出市場(chǎng)的先例。
為此，葉甜春表示，國內(nèi)企業(yè)在當(dāng)前新形勢(shì)下發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，不應(yīng)只是簡(jiǎn)單追趕，而要更加注重技術(shù)原創(chuàng)和市場(chǎng)創(chuàng)新；應(yīng)做好長期準(zhǔn)備，在資金上確保持續(xù)投入；另外，更為關(guān)鍵的是，要在立足自身市場(chǎng)特點(diǎn)的基礎(chǔ)上追求世界領(lǐng)先水平。
