1700V+1000A功率半導體器件靜態(tài)測試機

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品牌：	普賽斯儀表
單價：	1000.00元/臺
起訂：	1 臺
供貨總量：	10000 臺
所在地：	湖北武漢市
有效期至：	長期有效
最后更新：	2023-05-23 09:38

公司基本資料信息

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產品詳細說明

功率半導體器件一直是電力電子技術發(fā)展的重要組成部分，是電力電子裝置實現(xiàn)電能轉換、電源管理的核心器件，又稱為電力電子器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節(jié)能功效。隨著電力電子應用領域的不斷擴展和電力電子技術水平的提高，功率半導體器件也在不斷發(fā)展和創(chuàng)新，其應用領域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。

隨著行業(yè)技術革新和新材料性能發(fā)展，功率半導體器件結構朝復雜化演進，功率半導體的襯底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC（碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導體材料迅速崛起，它們通常具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。

不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統(tǒng)的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區(qū)間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰(zhàn)。

靜態(tài)參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態(tài)參數測試又叫穩(wěn)態(tài)或者DC（直流）狀態(tài)測試，施加激勵(電壓/電流)到穩(wěn)定狀態(tài)后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容),以及以上參數的相關特性曲線的測試。

圍繞第三代寬禁帶半導體靜態(tài)參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表（SMU）的測試方案，具有更優(yōu)的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。詳詢一八一四零六六三四七六

靜態(tài)測試所用儀表框圖

系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試；
豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數；
配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能；
數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度；
可定制開發(fā)：可根據用戶測試場景定制化開發(fā)；

系統(tǒng)參數

項目		參數
集電極-發(fā)射極	Z大電壓	3500V
	Z大電流	6000A
	精度	0.10%
	大電壓上升沿	典型值5ms
	大電流上升沿	典型值15us
	大電流脈寬	50us~500us
	漏電流測試量程	1nA~100mA
柵極-發(fā)射極	Z大電壓	300V
	Z大電流	1A(直流)/10A(脈沖)
	精度	0.05%
	Z小電壓分辨率	30uV
	Z小電流分辨率	10pA
電容測試	典型精度	0.5%
	頻率范圍	10Hz~1MHz
	電容值范圍	0.01pF~9.9999F
溫控	范圍	25℃~150℃
溫控	精度	±1℃

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等