我國半導體（LED）照明技術年均增長超35%

來自科技部的信息顯示，我國半導體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模從2003年的90億元增加到2012年的近2000億元，年均增長超過35%;我國已成為全球LED封裝和應用產(chǎn)品重要的生產(chǎn)和出口基地。

科技部高新司司長趙玉海介紹，我國LED芯片技術從無到有，2012年LED芯片國產(chǎn)化率達到72%;硅襯底功率型LED器件處于國際領先水平。下游應用與國際技術水平同步，LED射燈、筒燈、球泡燈等產(chǎn)品平均光效超過60lm/W，較白熾燈節(jié)能70%以上;LED隧道燈、路燈平均光效超過90lm/W，節(jié)能效果已經(jīng)顯現(xiàn);48片生產(chǎn)型MOCVD(LED芯片生產(chǎn)關鍵設備)樣機成功開發(fā)。

2009年，科技部啟動了“十城萬盞”半導體照明應用試點示范工作。37個試點城市已實施示范工程超過2700項，應用LED燈具超過700萬盞，年節(jié)電超過21億度。在“十城萬盞”帶動下，建立了以企業(yè)為主體的產(chǎn)學研聯(lián)合創(chuàng)新模式，促進了產(chǎn)品集成創(chuàng)新與技術進步。試點城市地方政府紛紛將半導體照明作為調(diào)整區(qū)域產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟發(fā)展方式的重要抓手;建成廈門、上海、大連、南昌、深圳、揚州和石家莊等15個產(chǎn)業(yè)化基地，初步形成了有一定配套能力的產(chǎn)業(yè)集群。

“通過示范應用帶動，部分產(chǎn)品在規(guī)模和水平上全球領先。”趙玉海說，北京奧運會水立方首次實現(xiàn)了世界上最大規(guī)模的全彩色可變場景LED景觀照明，節(jié)電70%以上;國慶60周年天安門廣場LED顯示屏，實現(xiàn)從芯片到系統(tǒng)的國產(chǎn)化;人民大會堂半導體照明改造項目，原照明總功率接近800kW，改造后總功率不到200kW，平均節(jié)電率達75%以上。

技部于2003年6月牽頭成立了國家半導體照明工程協(xié)調(diào)領導小組，緊急啟動“國家半導體照明工程”，成立了國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，推動了產(chǎn)學研以及上下游的實質(zhì)性合作。2012年，依托聯(lián)盟籌建了半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室，并建立了“共同投入、風險共擔、利益共享”的聯(lián)合創(chuàng)新機制。實驗室于今年1月在荷蘭設立海外研發(fā)實體機構(gòu)——代爾夫特研究中心。2010年10月，以聯(lián)盟為主要發(fā)起者，聯(lián)合美、澳、新、荷、韓、印及中國臺灣地區(qū)的半導體照明產(chǎn)業(yè)，組織成立了全球首家專門促進半導體照明行業(yè)發(fā)展的非營利性、非政府組織“國際半導體照明聯(lián)盟”。它是首個總部設在中國的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)國際聯(lián)盟，也表明國際社會對中國半導體照明產(chǎn)業(yè)及市場戰(zhàn)略地位的認可。